Cuvântul „Memoria flash“ este acum pe buzele tuturor. Termenul „unitate flash“, chiar de clasa intai din conversație este adesea folosit. Această tehnologie cu o viteză incredibilă a câștigat popularitate. Mai mult decât atât, mulți analiști prezic că, în viitorul apropiat, memorie flash va înlocui dispozitive de stocare bazate pe discuri magnetice. Ceea ce rămâne este doar pentru a observa progresul de dezvoltare și beneficiile sale. Surprinzător, mulți, vorbind despre acest nou produs, aproape fara sa stie ca o astfel de memorie flash. Pe de o parte, utilizatorul trebuie să aparatul a funcționat, și modul în care își îndeplinește funcțiile sale - chestiuni minore. Cu toate acestea, să aibă cel puțin o înțelegere de bază necesară pentru fiecare persoană educată.
Ce este memoria flash?
După cum știți, computerele au mai multe tipuri de dispozitive de stocare: module de memorie, hard disk - uri și unități optice. Ultimele două - este soluții electromecanice. Dar RAM - complet dispozitiv electronic. Este o colecție de tranzistori pe un cip asamblat un cip special. Particularitatea ei constă în faptul că datele sunt stocate atât timp cât electrodul de bază al fiecărei taste de comandă este alimentat. În prezent, vom lua mai târziu o privire mai atentă. Memoria flash este lipsit de acest neajuns. taxa problema de stocare, fără o tensiune externă folosind plutitoare gate rezolvate tranzistori. În absența unei influențe externe responsabile într-un astfel de dispozitiv poate fi păstrat timp suficient de lung (cel puțin 10 ani). Pentru a explica principiul de funcționare, este necesar să se amintească de elementele de bază ale electronicii.
Cum un tranzistor?
Aceste elemente au devenit utilizate pe scară largă, astfel încât este rar, în cazul în care acestea nu sunt utilizate. Chiar banal comutatorul de lumini este setat , uneori , cheile de condus. Cum a aranjat tranzistor clasic? Ea se bazează pe două material semiconductor, dintre care unul are o conductivitate electrică (n), iar cealaltă gaură (p). Pentru a obține un tranzistor simplu, este necesar să se combine materiale, cum ar fi NPN și fiecare electrod fișă bloc. La un electrod extrem este aplicată (emițător) tensiune. Ele pot fi controlate prin schimbarea amploarea potențialului pe producția medie (de bază). Îndepărtarea are loc pe colector - al treilea contact extremă. Este evident că, odată cu dispariția tensiunii de bază va reveni la o stare neutră. Dar, dispozitiv tranzistor cu o poarta fleshek suport plutitoare ușor diferite: partea din față a materialului semiconductor de bază este plasat un strat subțire de dielectric și poarta plutitoare - împreună formează o așa numită „buzunar“. La aplicarea tensiunii de plus la baza tranzistorului pentru a fi deschis prin trecerea unui curent care corespunde unei logici zero. Dar dacă poarta pentru a pune o singură sarcină (electroni), domeniul său neutralizeaza efectul de construire a bazei - dispozitivul va refuza (unitate logică) închisă. Prin măsurarea tensiunii între emițător și colector poate determina prezența (sau absența) a încărcăturii pe poarta plutitoare. Punerea taxa pe poarta prin utilizarea efectului de tunel (Fowler - Nordheim). Pentru a elimina necesitatea de a face taxa de mare (9), la o tensiune negativă și o bază pozitivă emitor. Taxa va părăsi poarta. Deoarece tehnologia este în continuă evoluție, a fost propusă pentru a combina forma de realizare și un tranzistor convențional cu poarta plutitoare. Acest lucru a permis „Erase“ percepe o tensiune joasă și produce un dispozitiv mai compact (nu este nevoie pentru a izola). Memoria USB Flash folosește acest principiu (NAND Structure).
Astfel, prin combinarea acestor tranzistori în blocuri, a fost posibil să se creeze o memorie în care datele înregistrate sunt, teoretic, reținut fără schimbare de zeci de ani. Poate că singurul dezavantaj al flash drive-urile moderne - numărul de cicluri de scriere limită.